专利汇可以提供一种低温自蔓延复合材料的制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种低温自蔓延 复合材料 的制备方法。主要包括:纳米 片层 结构的 石墨 烯粉末、微米级别的Al粉末、Fe2O3粉末、ZnO粉末、SiO2粉末、B2O3粉末和Cu-Ti 合金 粉末,制备方法包括喷雾 造粒 和 真空 烧结 。本发明的有益之处在于材料成分复合一定的 润滑剂 、降温剂、 散热 剂、润湿剂,可以降低反应体系的熔融 温度 ,提高其在 铝 合金 基体界面流动性及铺展 润湿性 。和可以改变铝热反应体系热量释放量的材料。适用于直径小于50mm 铝合金 筒类件的内壁自润滑 耐磨涂层 制备。,下面是一种低温自蔓延复合材料的制备方法专利的具体信息内容。
1.一种低温自蔓延复合材料的制备方法,包括如下步骤:
步骤1、先将石墨烯粉末与Al粉末混合均匀,所述石墨烯的为片层结构,石墨烯与Al的质量百分比为(0.1~0.5):(99.5~99.9);
加入Fe2O3粉末、ZnO粉末、SiO2粉末、B2O3粉末和Cu-Ti合金粉末混合均匀得到混合粉末;
混合粉末中各组分的质量百分比为(12~18)的石墨烯和Al:(62~65)的Fe2O3:(7~9)的ZnO:(1~3)的SiO2:(1~3)的B2O3:(2~17)的Cu-Ti;
步骤2、将上述的混合粉末与聚乙烯醇混合均匀并加热,加热温度为82~85℃,然后进行喷雾造粒,然后进行真空烧结,得到低温自蔓延复合材料。
2.如权利要求1所述的一种低温自蔓延复合材料的制备方法,其特征在于:所述片层结构的片层厚度为1~5nm。
3.如权利要求1所述的一种低温自蔓延复合材料的制备方法,其特征在于:步骤1中Al粉末的粒度为10~15nm,石墨烯和Al粉末于液态介质中球磨混合,球磨转速为5~9rpm/s,球磨混合时间为7~10小时;球磨后超声波分散处理2~3小时,超声波分散频率为20~
25Hz;超声波分散处理后在60~90℃下烘干处理2~3小时,得到粒度为1~3μm的混合粉末。
4.如权利要求1所述的一种低温自蔓延复合材料的制备方法,其特征在于:步骤1中Fe2O3粉末粒度为1~3μm的,ZnO粉末粒度为1μm的,SiO2粉末粒度为1~2μm,B2O3粉末粒度为1~2μm,Cu-Ti粉末粒度为1μm。
5.如权利要求1所述的一种低温自蔓延复合材料的制备方法,其特征在于:步骤2中聚乙烯醇与混合粉末混合均匀后的质量比为5~8%,搅拌速率330~380rpm/min。
6.如权利要求1所述的一种低温自蔓延复合材料的制备方法,其特征在于:所述低温自蔓延复合材料为粉末料,粒度为15~20μm。
7.如权利要求1所述的一种低温自蔓延复合材料的制备方法,其特征在于:混合粉末与聚乙烯醇混合后进行加热和搅拌的时间为30~60min,搅拌速率为300~500rpm/min。
8.如权利要求1所述的一种低温自蔓延复合材料的制备方法,其特征在于:步骤2中,真空烧结反应的真空度为1×10-3Pa,烧结温度为810~830℃,烧结温度升温速率10~15℃/min,烧结过程中以高纯氩气为保护气,烧结时间为1~2小时。
9.如权利要求1所述的一种低温自蔓延复合材料的制备方法,其特征在于:步骤1中,Cu-Ti合金粉末的Cu和Ti的质量百分比为(92~98):(8~2)。
10.如权利要求1所述的一种低温自蔓延复合材料的制备方法,其特征在于:步骤1中,步骤1Cu-Ti合金粉末的Cu和Ti的质量百分比为95:5。
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